三星讨论了其计划，即在未来十年内为其3D NAND技术实现五级单元的扩展，从而提供高达Petabytes级别的容量，尽管它们可能在十年後才出现。在今年的中国快闪记忆体市场峰会（CFMS2023）上，三星电子与美光、Kioxa、Arm、Solidigm、Phison等其他知名快闪记忆体公司一起出席。三星电子与观众讨论了”快闪记忆体的再进化和迈向新时代”的话题。
这次讨论强调了该公司的高级内存容量的能力，以及通过其3D NAND快闪记忆体达到如此高容量的困难。
三星电子NAND产品规划部副总经理Kyungryun Kim解释说，三个层次的技术–物理扩展、逻辑扩展和封装技术–不仅在不断发展，而且理论上能够达到1PB，即1024TB的容量。然而，按照当今的技术标准，该公司在十年内不会实现这一目标。此外，该公司正在寻求将四级单元技术用於更多的存储设备，并专注於使该技术更加灵巧。
在讨论达到五级容量的进化途径时，该公司还展示了PM1743系列PCIe 5.0固态硬碟（SSD）。新的PM1743系列比以前的型号能效高达百分之四十，并且经过测试，与英特尔和AMD的PCIe Gen 5平台兼容。
三星在讨论其技术进步时总是有些沉默，特别是有关3D NAND存储器领域。该公司正在继续寻找将四级单元3D NAND设备以更广泛的采用率推向公众的方法。三星认为，专注於更新的控制器技术将达到这些目标。目前，该公司在物理上对3D NAND设备进行缩放。然而，该公司将需要研究逻辑缩放，以使存储设备的访问量超过一千层。逻辑扩展将允许提升每个单元内存储的信息位数。
虽然该公司对其技术一直保持沉默，但其竞争对手Kioxia的发展却更加透明。该公司在2019年推出了五级单元的3D NAND存储器，每单元可存储5比特（5 bpc）。两年後，Kioxia突破了5 bpc的技术，达到6 bpc。该公司表示，他们还在研究是否能推进到8个bpc，创造一个八级单元的3D NAND存储器设备。目前，该公司还远远没有达到这样的长度。
每单元存储多个比特，给许多3D NAND制造商带来了许多挑战。确定能够存储各种电压状态的材料，同时还能区分它们以防止干扰，是所有公司目前都在努力克服的这样一个障碍。此外，他们还需要开发纠错技术，以便在每单元的比特数增加时保持数据的完整性。