Transphorm近日宣布，推出三款TOLL封装的SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用产业标准，这表示TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件。新元件还具备Transphorm经验证的高压动态(开关)导通电阻可靠性，市场上主流的代工e-mode氮化镓则缺乏这样的可靠性。
三款表面贴装型元件(SMD)可支援平均运行功率范围为1至3千瓦的较高功率应用，这样的电力系统常用於高性能领域，如运算(人工智慧、伺服器、电信、资料中心)、能源和工业(光伏逆变器、伺服电机)以及其他广泛的工业市场。值得关注的是，该新型功率元件是人工智慧(AI)系统极佳解决方案，AI系统依赖於GPU，而GPU的功耗是传统CPU的10到15倍。
目前，各种高性能领域的主流客户开始采用Transphorm的高功率氮化镓元件，为其高性能系统提供电力支援，应用领域包括资料中心电源、高功率电竞PSU、UPS和微型逆变器等。新型TOLL封装元件也能够用於电动车的DC-DC转换器和车载充电器应用，因为核心SuperGaN晶片已通过汽车产业(AEC-Q101)标准认证。
TOLL形式的SuperGaN FET是Transphorm推出的第六款封装类型，给予了客户广泛的封装选择，以满足客户的不同设计需求。与所有Transphorm产品一样，该TOLL封装元件利用了Transphorm常闭型d-mode SuperGaN平台所固有的性能和可靠性优势。
Transphorm所发布之「Normally-off D-Mode氮化镓电晶体的根本优势」白皮书，所得结论与Transphorm於2023年初发布的一份对比报告一致，该比较显示，在一款市售280W电竞笔记型电脑充电器中，使用72毫欧SuperGaN FET直接替代尺寸更大的50毫欧e-mode元件，充电器的性能会更好。
该650V SuperGaN TOLL封装元件性能稳健，且已获得JEDEC资格认证。由於常闭型d-mode平台是将GaN HEMT与低电压矽管配对，因此，SuperGaN FET可以简单的选择使用常用市售栅极驱动，应用於各种软/硬开关的AC-DC、DC-DC和DC-AC拓扑中，提高功率密度，同时减小系统尺寸、重量和总成本。
SuperGaN TOLL 封装元件目前可提供样品。